Ответы на модуль 13 (БИПОЛЯРНЫЕ И УНИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ) по предмету электротехника, электроника и схемотехника.
1) При положительных входных напряжениях затвор-исток полевые транзисторы с p-n-затвором не используют, т. к. в этом режиме: резко возрастает ток затвора, а эффективность управления снижается.
2) Транзисторный усилитель с общим коллектором (ОК) имеет: очень высокое входное и очень низкое выходное сопротивление.
3) В режиме насыщения ток стока полевого транзистора: полностью не зависит от напряжения на затворе.
4) Эмиттерный повторитель можно представить как: источник тока, управляемый напряжением.
5) К основным схемам включения биполярного транзистора в цепь не относится следующая схема: с общим затвором.
6) Биполярный транзистор можно заменить разомкнутым ключом в следующем режиме: отсечки.
7) Что из нижеперечисленного не относится к предельным эксплуатационным параметрам транзисторов? постоянный (импульсный) ток затвора.
8) При активном режиме работы биполярного транзистора: выходной ток пропорционален входному току.
9) К преимуществам полевых транзисторов не относится: низкое входное сопротивление в схеме с общим истоком.
10) Для схемы с общим эмиттером (ОЭ) выходная характеристика – это: зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при определенном значении тока базы.
11) В линейном режиме работы полевого транзистора обеспечивается: изменение выходного сопротивления, управляемое напряжением на затворе.
12) Транзисторный усилитель с общей базой (ОБ) имеет: очень низкое входное и очень высокое выходное сопротивление.
13) Что из нижеперечисленного относится к необратимым пробоям транзисторов? тепловой пробой.
14) Передаточная (стоко-затворная) характеристика полевого транзистора — это: зависимость тока на выходе от напряжения на входе.
15) Транзисторный усилитель с общей базой (ОБ) можно представить как: источник тока, управляемый током.
16) Какой электронный прибор называется МЕП-транзистором? транзистор с затвором Шотки.
17) Особенность представления биполярного транзистора в виде четырехполюсника заключается в том, что: параметры цепи не зависят от способа включения транзистора.
18) Полевой транзистор можно представить как: прибор, управляемый напряжением на его входе.
19) Биполярный транзистор имеет в своем составе: два взаимодействующих между собой встречно включенных p-n-перехода.
20) При каком режиме работы биполярного транзистора эмиттерный переход смещен в прямом, а коллекторный – в обратном направлении? активном.
21) В каком режиме работы биполярного транзистора эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направления? в режиме насыщения.
22) Для схемы с общим эмиттером (ОЭ) входная характеристика – это: зависимость тока базы от напряжения между базой и эмиттером при постоянном падении напряжения между коллектором и эмиттером.
23) Каким образом можно защитить биполярный транзистор от вторичного пробоя: шунтирование выводов коллектор-эмиттер с помощью быстродействующего тиристора.
24) Транзисторный усилитель с общим эмиттером (ОЭ) можно представить как: источник тока, управляемый напряжением.
25) Какой из режимов работы биполярного транзистора является аварийным? пробоя.
26) Схему замещения полевого транзистора для области насыщения можно представить в виде: источника тока стока, управляемого напряжением на затворе.
27) Коллекторный p-n-переход в активном режиме работы биполярного транзистора создает потенциальный барьер: не создает потенциальный барьер.
28) При каком режиме работы биполярного транзистора эмиттерный переход смещен в обратном, а коллекторный – в прямом направлении? в инверсном режиме.
29) Для схемы с общим коллектором (ОК) входным сигналом является: напряжение между базой и коллектором.
Особенность представления биполярного транзистора в виде четырехполюсника заключается в том, что
параметры цепи зависят от способа включения транзистора
Что из нижеперечисленного относится к необратимым пробоям транзисторов?
токовый шнур
Эмиттерный повторитель можно представить как:
идеальный генератор напряжений
В режиме насыщения ток стока полевого транзистора
полностью не зависит от напряжения на стоке
Коллекторный p-n-переход в активном режиме работы биполярного транзистора создает потенциальный барьер
только для основных носителей